产品参数
产品详情
典型应用包括:
u 光刻胶去除:干法或湿法刻蚀前后,对聚合物、金属及掩膜材料等进行剥离;
u 表面预处理:晶圆、芯片、外延片、电路板等表面清洁与活化;
u 特殊工艺清洗:MEMS制造中牺牲层去除、环氧树脂等材料表面有机物清洗。

等离子去胶机原理
等离子去胶机的核心原理是利用等离子体的高活性实现材料去除。其工作过程如下:在真空反应腔内,通过射频或微波能量使工艺气体(如氧气)电离,形成包含氧自由基等高活性粒子的等离子体。这些活性粒子与光刻胶(主要成分为碳氢有机物)发生氧化反应,将其转化为易挥发的产物,如一氧化碳、二氧化碳和水蒸气,随后由真空系统排出,从而实现清洁、去除。为优化工艺,可在反应气体中掺入氮气或氢气,以增强对特定残留物的去除能力。与传统湿法化学去胶相比,该干法工艺不仅去胶效率更高,而且避免了使用大量化学溶剂,更具环境友好性。
产品特点
智能控制与人性化操作
u 配备7英寸彩色触摸屏,中英文双语互动式操作界面。
u 采用PLC工控机控制整个去胶过程,具备手动与自动两种工作模式。
u 具备20组可存储的工艺配方,支持工艺数据存储、输出与全程追溯。
精密工艺与气体控制系统
u 智能真空控制:系统可通过调节气体流量或腔体压力两种模式精准控制真空压力,工艺调控灵活智能。
u 精准气体配送:采用防腐质量流量计,气体控制精度高。标配双路气体系统,可选配多路气路,支持氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气等多种工艺气体。
u 均匀进气设计:采用多孔道进气方式,有效改善传统单孔进气不均的问题,确保处理效果均匀一致。
u 洁净保障:配备HEPA高效过滤器,结合气体返填吹扫功能,有效防止二次污染。
核心结构与材质
u 采用石英真空舱,真空管路系统为316不锈钢材质,耐腐蚀且无污染。
u 可选配石英舟,更适用于晶元硅片去胶工艺。
u 处理效率高,工艺重复性与一致性好,保障量产稳定性。
u 整机运行稳定,使用成本低,维护简便,损耗小。
u 样品处理温度低,避免热损伤和热氧化。
安全防护
u 配备多重安全机制:舱门开启即自动断电,并具备可控泄压等功能。
u 设有运行/停止状态提示,保障人员操作与样品安全。
2025-12-26
2024-07-26
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