CIF RIE反应离子刻蚀机

    CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。
  1. 详细信息

CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括:

介电材料(SiO2、SiNx等)

硅基材料(Si,a-Si,poly Si)

III-V材料(GaAs、InP、GaN等)

溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

类金刚石(DLC)

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产品特点:

PLC工控机控制整个清洗过程,全自动进行。

7寸彩色触摸屏互动操作界面,图形化操作界面显示,自动监测工艺参数状态,0~99配方程序,可存储、输出、追溯工艺数据,机器运行、停止提示。

手动、自动两种工作模式。

全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。

采用防腐数字流量计控制标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。

符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。

316不锈钢、航空铝真空仓选择。

采用顶置真空仓,上开盖设计下压式铰链开关方式上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。

有效处理面积大,可处理最大直径200mm晶元硅片。

安全保护,仓门打开,自动关闭电源。

技术参数

型号

RIE200

RIE200plus

舱体尺寸

H38xΦ260mm

H38xΦ260mm

舱体容积

2L

2L

射频电源

40KHz

13.56MHz

电极

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

匹配器

自动匹配

自动匹配

刻蚀方式

RIE

RIE

射频功率

10-300W可调(可选10-1000W)

10-300W可调(可选10-600W)

气体控制

质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调)

工艺气体

ArNO₂、HCF4CF4+ H2CHF3或其他混合气体等(可选)

最大处理尺寸

Φ200mm

时间设定

1-99分59秒

真空泵

抽速约8m3/h

气体稳定时间

1分钟

极限真空

1Pa

AC220V 50-60Hz,所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

 

当等离子蚀刻应用涉及使用氧气作为工艺气体时,出于安全原因,强烈建议使用Edwards爱德华真空泵 RV3双级旋片泵或类似的合成油旋转机械泵。因为Edwards爱德华RV3双级旋片泵泵科学应用方面已成为行业标准。当然,在需要避免使用油基旋转机械泵的地方,也可选择干式真空泵。


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