RIE反应离子刻蚀机

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CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机，采用 RIE 反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所，微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。

具体包括：

◆ 介电材料（SiO2、SiNx 等）

◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

◆ III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）

◆ 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）

◆ 类金刚石（DLC）

应用领域：

主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。

产品特点

◆ 7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20 个配方程序，工艺数据可存储追溯。

◆ PLC 工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。

◆ 真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

◆ 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

◆ 采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。

◆ HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。

◆ 符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。

◆ 采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。

◆ 上置式 360 度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。

◆ 有效处理面积大，可处理最大直径 154mm 晶元硅片。

◆ 安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。

技术参数

型号	RIE200	RIE200plus
舱体内尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
舱体容积	2L	2L
射频电源	40KHz	13.56MHz
电极	不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm	不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm
匹配器	自动匹配	自动匹配

刻蚀方式	RIE	RIE
射频功率	0-600W 可调（可选 0-1000W）	0-300W 可调（可选 0-600W）
气体控制	质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围 0-500SCCM（可调）
工艺气体	Ar、N ₂、O ₂、H ₂、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合气体等（可选）
最大处理尺寸	Φ154mm
产品尺寸	L520xW600xH420mm
包装尺寸	L700xW580xH490mm
时间设定	9999 秒
真空泵	抽速约 8m³/h
气体稳定时间	1 分钟
极限真空	=1Pa
电源	AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。
整机重量	38kg

备注：可选：1、冷却循环水器：温度控制范围 -20-100℃;

2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）极限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。

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